Влияние процессов на стенках капилляра на параметры плазмы положительного столба разряда низкого давления
Проанализировано влияние эмиссии вторичных электронов, ион-электронной и фотоэмиссии, а также термализации атомов и ионов на стенках капилляра на параметры плазмы положительного столба разряда низкого давления. Рассмотрена роль степени шероховатости поверхности стенки разрядного капилляра в данных процессах.
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Вход / Регистрация
Описание документа
Мольков С. И. Влияние процессов на стенках капилляра на параметры плазмы положительного столба разряда низкого давления / С. И. Мольков // Учен. зап. Петрозавод. гос. ун-та. Сер.: Естественные и технические науки. - 2012. - № 2 (123). - С. 88-94.
Издатель: Издательство ПетрГУ
Copyright: Петрозаводский государственный университет
Продолжая использовать данный сайт, Вы даете согласие на обработку файлов
Cookies и других пользовательских данных, в соответствии с Политикой конфиденциальности