Физические основы разработки датчиков на основе эффекта переключения в диоксиде ванадия
В статье показано, что зависимость пороговых характеристик переключательных МОМ-структур с S-образной вольт-амперной характеристикой (ВАХ) на основе анодных оксидных пленок на ванадии и гидратированного пентаоксида ванадия от температуры и давления указывает на возможность использования их в качестве тонкопленочных микросенсоров температуры и механических величин.
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Вход / Регистрация
Описание документа
Физические основы разработки датчиков на основе эффекта переключения в диоксиде ванадия / А. Л. Пергамент [и др.] // Учен. зап. Петрозавод. гос. ун-та. Сер.: Естественные и технические науки. - 2009. - № 7 (101). - С. 101-106.
Издатель: Издательство ПетрГУ
Copyright: Петрозаводский государственный университет
Продолжая использовать данный сайт, Вы даете согласие на обработку файлов
Cookies и других пользовательских данных, в соответствии с Политикой конфиденциальности