В статье представлен процесс трехмерного корпусирования интегральных микросхем памяти. Приведены основные технологические операции, позволяющие проследить путь от кремниевой пластины до готовой микросхемы: утонение пластины ее монтаж на рамку и разделение на отдельные кристаллы, монтаж кристаллов, микросварка многоуровневых электрических соединений и герметизация микросхемы с помощью защитного компаунда. Полученные микросхемы памяти могут быть использованы
в твердотельных накопителях и системах хранения данных.
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Вход / Регистрация
Описание документа
Путролайнен В. В. Трехмерное корпусирование микросхем nand-памяти [Электронный ресурс] / В. В. Путролайнен // Качество жизни: современные вызовы и векторы развития : материалы Всероссийский (с международным участием) науч.-практ. конф. (30.10 — 01.11.2018) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. образования Петрозав. гос. ун-т. — Электрон. ст. — Петрозаводск : Изд-во ПетрГУ, 2018. — С. 158—160.
Издатель: Издательство ПетрГУ
Copyright: Петрозаводский государственный университет
Продолжая использовать данный сайт, Вы даете согласие на обработку файлов
Cookies и других пользовательских данных, в соответствии с Политикой конфиденциальности