Раздел журнала/сборника: Физико-математические науки

Куроптев Вадим Андреевич, Путролайнен Вадим Вячеславович, Стефанович Генрих Болеславович

Исследование прототипа элемента ReRAM на основе нестехиометрических анодных оксидных пленок ниобия

Статья посвящена результатам разработки и экспериментального исследования прототипа элемента ReRAM (resistive random access memory) на основе биполярного резистивного переключения в нестехиометрических анодных оксидных пленках ниобия. Показана высокая практическая значимость и перспективность данного эффекта для разработки ReRAM.

Сборник

Все статьи сборника:


Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Пожалуйста, зарегистрируйтесь.

Описание документа
Куроптев В. А. Исследование прототипа элемента ReRAM на основе нестехиометрических анодных оксидных пленок ниобия / В. А. Куроптев, В. В. Путролайнен, Г. Б. Стефанович // Учен. зап. Петрозавод. гос. ун-та. Сер.: Естественные и технические науки. — 2012. — № 8 (129), т. 1. — С. 95-98. — URL: http://elibrary.petrsu.ru/books/20424 (дата обращения: 21.11.2024)

Издатель: Издательство ПетрГУ

Copyright: Петрозаводский государственный университет

Место издания: Петрозаводск

Год издания: 2012