Путролайнен Вадим Вячеславович

Трехмерное корпусирование микросхем nand-памяти

В статье представлен процесс трехмерного корпусирования интегральных микросхем памяти. Приведены основные технологические операции, позволяющие проследить путь от кремниевой пластины до готовой микросхемы: утонение пластины ее монтаж на рамку и разделение на отдельные кристаллы, монтаж кристаллов, микросварка многоуровневых электрических соединений и герметизация микросхемы с помощью защитного компаунда. Полученные микросхемы памяти могут быть использованы в твердотельных накопителях и системах хранения данных.

Сборник

Все статьи сборника:


Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии. Пожалуйста, зарегистрируйтесь.

Описание документа
Путролайнен В. В. Трехмерное корпусирование микросхем nand-памяти [Электронный ресурс] / В. В. Путролайнен // Качество жизни: современные вызовы и векторы развития : материалы Всероссийский (с международным участием) науч.-практ. конф. (30.10 — 01.11.2018) / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. образования Петрозав. гос. ун-т. — Электрон. ст. — Петрозаводск : Изд-во ПетрГУ, 2018. — С. 158—160. — URL: http://elibrary.petrsu.ru/books/33716 (дата обращения: 24.05.2024)

Издатель: Издательство ПетрГУ

Copyright: Петрозаводский государственный университет

Место издания: Петрозаводск

Год издания: 2018